SiC MOSFET
文章來(lai)源：中國電子科技(ji)集(ji)團有限(xian)公司(si) 發布時間：2024-05-20
16.SiC MOSFET
【所屬領域】核心(xin)電子(zi)元器件
【中央企業(ye)名(ming)稱】中國電子科技(ji)集團(tuan)有限公司
【成(cheng)果簡(jian)介】SiC MOSFET在電(dian)力變(bian)換電(dian)路中作為開(kai)關管被使用(yong)，適用(yong)于(yu)高壓大電(dian)流工況。用(yong)SiC MOSFET代替硅(gui)超結MOS或IGBT，可顯著提(ti)高系統(tong)(tong)的開(kai)關頻率，降低系統(tong)(tong)的損耗，同時可以簡(jian)化電(dian)路拓撲、減小系統(tong)(tong)尺寸。中國電(dian)子科(ke)技集團公司第五十五研究所自(zi)主研制(zhi)生產的WM1A080120L1型SiC MOSFET已批量應用(yong)于(yu)新能源汽車OBC。
【主要指標】
1.漏源耐壓VDSmax：1200V
2.驅動(dong)電壓：15-20V
3.導通電流ID：36A
4.比導通電阻：3.8mΩ?cm2
【應用推廣需求】
1.應用推廣方式：銷售(shou)
2.應用(yong)推廣(guang)領域(yu)：高壓(ya)大(da)電(dian)(dian)流(liu)的電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子變換電(dian)(dian)路，如(ru)新(xin)能源汽車(che)、光伏(fu)逆變、服務器(qi)電(dian)(dian)源等(deng)。
【成果圖片】
【聯系人】
集團聯(lian)系人：丁一牧，010-84352395（13552993699），dingyimu@vip.163.com
成果(guo)聯系人：劉強，19850089771，liuqiangphy@126.com
【責任編輯：家正】
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