SiC MOSFET
文章來源：中國(guo)電子科技集(ji)團(tuan)有限公司 發布(bu)時間：2024-05-20
16.SiC MOSFET
【所(suo)屬領(ling)域】核心電子元器件
【中央企業名稱】中國電子科技集團有限公司
【成果簡介】SiC MOSFET在(zai)電(dian)(dian)力變換電(dian)(dian)路(lu)(lu)中作為開(kai)關管被使用(yong)，適用(yong)于高壓大(da)電(dian)(dian)流(liu)工況。用(yong)SiC MOSFET代替硅超結MOS或(huo)IGBT，可(ke)顯著提高系(xi)統的(de)開(kai)關頻(pin)率，降低系(xi)統的(de)損(sun)耗，同時可(ke)以(yi)簡化電(dian)(dian)路(lu)(lu)拓(tuo)撲、減小系(xi)統尺寸。中國(guo)電(dian)(dian)子科(ke)技集(ji)團公司第五(wu)十五(wu)研究所自主(zhu)研制生產的(de)WM1A080120L1型SiC MOSFET已批量應用(yong)于新能源(yuan)汽(qi)車OBC。
【主要指標】
1.漏源耐壓VDSmax：1200V
2.驅(qu)動電壓：15-20V
3.導通電流(liu)ID：36A
4.比導通電阻：3.8mΩ?cm2
【應用推廣需求】
1.應用推廣方(fang)式(shi)：銷售(shou)
2.應(ying)用推廣領域：高(gao)壓大(da)電流(liu)的電力電子變換(huan)電路，如新能源(yuan)汽車、光伏逆變、服務器(qi)電源(yuan)等。
【成果圖片】
【聯系人】
集團聯系人：丁(ding)一牧，010-84352395（13552993699），dingyimu@vip.163.com
成果聯系人：劉強(qiang)，19850089771，liuqiangphy@126.com
【責任編輯：家正】
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