文章來源:中國電子科技集團有限公司 發(fa)布(bu)時間:2024-05-20
15.太赫茲InP功率放大器
【所屬領域】核心電(dian)子元器件
【中(zhong)央企業(ye)名稱】中(zhong)國電子(zi)科技集(ji)團有限(xian)公司(si)
【成(cheng)果簡介】完(wan)成(cheng)了4英寸(cun)InP HBT/HEMT工藝優(you)化、可(ke)靠性提升(sheng)以(yi)(yi)及太(tai)赫茲InP功率(lv)(lv)放(fang)大(da)器(qi)研(yan)究工作,突破了低(di)缺陷外延材料生長、4英寸(cun)0.25μm InP HBT以(yi)(yi)及70nm InP HEMT成(cheng)套工藝、InP器(qi)件(jian)大(da)信號模型(xing)、太(tai)赫茲芯片設(she)計與測試等關鍵技術,InP器(qi)件(jian)截止頻率(lv)(lv)達到(dao)620GHz,研(yan)制出340GHz以(yi)(yi)及220GHz功率(lv)(lv)放(fang)大(da)器(qi)產品,初(chu)步形成(cheng)了太(tai)赫茲InP功率(lv)(lv)放(fang)大(da)器(qi)的自主保障(zhang)能力(li)。
【主要指標】
1.InP器件截止頻率:620GHz
2.InP功放工作頻率:340GHz
3.InP低(di)噪放工作頻率:220GHz
【應用推廣需求】
1.應用推廣方式:銷(xiao)售
2.應(ying)用推廣領(ling)域:雷達、通信(xin)、測試(shi)儀表等領(ling)域。
【成果圖片】

【聯系人】
集(ji)團聯系(xi)人:丁一牧,010-84352395(13552993699),dingyimu@vip.163.com
成果聯系人:程偉(wei),15295539022,dspbuilder@163.com
【責任編輯:家正】