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大束流離子注入機

文章來源：中國(guo)電子科(ke)技集團有限公司　　發布時間：2024-05-20

296. 大束流離子注入(ru)機

【所屬領(ling)域】高端裝備(bei)

【中央企業名(ming)稱】中國電子科(ke)技集(ji)團有(you)限(xian)公(gong)司

【成果簡介】

大束流離子注入機，解決了寬帶束分析器，劑量均勻性精確控制、污染控制、靶室高效傳輸等關鍵技術，實現了45-22納米集成電路芯片制造摻雜工藝的產品應用。通過研究45-22納米超淺結注入工藝，分析注入工藝參數對摻雜雜質分布的影響，完成采用低能離子注入技術形成超淺結的45-22納米演示器件的工藝制備。該設備通過28納米芯片量產應用驗證，填補國內空白，應用于中芯國際等國內主要芯片制造廠商。

大束流注入機能量范圍大，同時在低能段表現出色；在能量、顆粒、金屬污染方面滿足工藝需求，擁有高效晶圓傳輸與掃描系統，保證了較高的WPH。

【主要指標】

1.能量：0.2-60KEV；能量精度：±0.5%

2.能量污染：＜0.05%；注入角度：±90deg

3.注入角度精度：±0.2 deg；平行度：±0.5 deg@≥2KEV;±1 deg@＜2KEV

4.注入方式：單片；晶圓尺寸：300mm：0.5%@≥2KEV;1%@＜2KEV

5.劑量均勻性：劑量重復性：0.7%@≥2KEV;1%@＜2KEV

6.可靠性指標：MTBF≥300h, MTTR＜4h

7.金屬污染：Heavy Metal≤5ppm,Al≤50ppm

【應用推廣需求】

1.應用推廣方式：銷售

2.應用推廣領域：集成電路制造行業。