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130nm硅基光電子成套工藝

文章來源：中(zhong)國電子科技集團有限(xian)公司　　發布時間：2024-05-20

254. 130nm硅基光電子成套(tao)工藝

【所屬領域】先進工藝

【中央企業名稱】中國電子科技集團有限公司

【成果簡介】 8英寸130nm/180nm硅光成套工藝是國內首個具備130 nm Cu工藝的硅光平臺，形成的硅光芯片核心器件庫，完整覆蓋硅光無源/有源器件，該平臺技術水平達到國內領先，世界先進，部分指標達到國際領先。提供全套標準的波導、光柵、調制器、Ge探測器和大模場端面耦合器等光電器件工藝，解決了國內硅基光電子流片工藝平臺缺乏和成套工藝技術受制于人的局面，有力支撐國民經濟領域應用，技術成熟度9級。

【主要指標】

1.波導損耗：1.2dB/cm

2.光柵耦合器：4dB/facet

3.Doping調制器：33GHz/45Gbps

4.TiN調制器：18GHz/40Gbps

5.Ge探測器：60GHz/45Gbps@-1V，暗電流=3.5nA@-1V，響應度 1.02A/W@-1V

6.大模場端面耦合器：1.5dB/facet

【應用推廣需求】

1.應用推廣方式：銷售、轉讓、許可、合作實施、作價投資

2.應用推廣領域：可支撐高速光互連、微波光子、激光雷達、人工智能、量子計算等多個領域的光電集成解決方案，主要客戶為國內外光通信相關企業與研究機構。

【成果圖片】