SiC MOSFET
文(wen)章來源：中國(guo)電子科技(ji)集團有限(xian)公司 發(fa)布(bu)時間：2024-05-20
16.SiC MOSFET
【所屬領域】核(he)心電子(zi)元(yuan)器件
【中(zhong)央企業(ye)名稱】中(zhong)國電子科技集團有限公司
【成(cheng)果簡(jian)介(jie)】SiC MOSFET在電力變(bian)換(huan)電路中作為開關管被使用(yong)，適用(yong)于高壓(ya)大電流(liu)工況。用(yong)SiC MOSFET代替硅(gui)超(chao)結MOS或IGBT，可(ke)顯著提高系統的(de)開關頻率，降(jiang)低系統的(de)損耗，同(tong)時可(ke)以簡(jian)化電路拓撲、減小(xiao)系統尺寸。中國(guo)電子科技集團(tuan)公司第五(wu)十五(wu)研究所自主研制(zhi)生(sheng)產的(de)WM1A080120L1型SiC MOSFET已批(pi)量應用(yong)于新能源汽車OBC。
【主要指標】
1.漏源(yuan)耐壓VDSmax：1200V
2.驅動電壓：15-20V
3.導(dao)通電(dian)流ID：36A
4.比(bi)導通電阻：3.8mΩ?cm2
【應用推廣需求】
1.應用(yong)推廣方(fang)式(shi)：銷(xiao)售
2.應用推(tui)廣領域：高壓大電流的電力電子變(bian)(bian)換(huan)電路，如新能源(yuan)汽車(che)、光伏逆變(bian)(bian)、服(fu)務器電源(yuan)等。
【成果圖片】
【聯系人】
集(ji)團(tuan)聯(lian)系人：丁(ding)一牧，010-84352395（13552993699），dingyimu@vip.163.com
成果聯系(xi)人：劉(liu)強，19850089771，liuqiangphy@126.com
【責任編輯：家正】
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