SiC MOSFET
文章(zhang)來源：中(zhong)國(guo)電(dian)子科技集團有限(xian)公司 發布時間：2024-05-20
16.SiC MOSFET
【所屬領域】核(he)心電(dian)子元器(qi)件
【中(zhong)央企(qi)業名稱】中(zhong)國電子科(ke)技(ji)集團有限公(gong)司(si)
【成果簡介】SiC MOSFET在電力變換電路(lu)中作為開(kai)關(guan)管被使(shi)用(yong)，適用(yong)于(yu)高(gao)壓大(da)電流工(gong)況。用(yong)SiC MOSFET代(dai)替硅超結MOS或IGBT，可(ke)(ke)顯著提高(gao)系(xi)(xi)統的(de)(de)開(kai)關(guan)頻(pin)率，降低(di)系(xi)(xi)統的(de)(de)損耗，同時可(ke)(ke)以簡化電路(lu)拓撲、減小系(xi)(xi)統尺寸。中國電子科技集(ji)團公司第五(wu)十五(wu)研究所(suo)自主研制生產的(de)(de)WM1A080120L1型SiC MOSFET已(yi)批量應(ying)用(yong)于(yu)新能源汽車OBC。
【主要指標】
1.漏源耐壓(ya)VDSmax：1200V
2.驅動電壓：15-20V
3.導通電(dian)流ID：36A
4.比導(dao)通電(dian)阻(zu)：3.8mΩ?cm2
【應用推廣需求】
1.應(ying)用推(tui)廣方式(shi)：銷售
2.應用推廣領域：高壓(ya)大(da)電(dian)(dian)流的電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子變(bian)換(huan)電(dian)(dian)路，如新能(neng)源(yuan)汽車、光伏逆變(bian)、服(fu)務器電(dian)(dian)源(yuan)等。
【成果圖片】
【聯系人】
集團聯系人：丁一牧，010-84352395（13552993699），dingyimu@vip.163.com
成(cheng)果聯系人：劉強，19850089771，liuqiangphy@126.com
【責任編輯：家正】
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