文章來源:中國電子科技(ji)集團有限公司 發布(bu)時間:2024-05-20
15.太赫(he)茲(zi)InP功率放(fang)大器
【所屬領域(yu)】核心電子元(yuan)器件
【中(zhong)央企業名稱】中(zhong)國電子科技集團有限公司
【成(cheng)果(guo)簡介】完成(cheng)了(le)4英(ying)寸InP HBT/HEMT工藝優化(hua)、可靠性(xing)提升以及(ji)太赫(he)茲InP功率(lv)放(fang)大器(qi)(qi)研(yan)究工作,突破了(le)低缺(que)陷外延(yan)材料生長、4英(ying)寸0.25μm InP HBT以及(ji)70nm InP HEMT成(cheng)套工藝、InP器(qi)(qi)件大信號(hao)模型、太赫(he)茲芯(xin)片設計與測(ce)試(shi)等關(guan)鍵技術,InP器(qi)(qi)件截止(zhi)頻率(lv)達到620GHz,研(yan)制出(chu)340GHz以及(ji)220GHz功率(lv)放(fang)大器(qi)(qi)產品(pin),初步形成(cheng)了(le)太赫(he)茲InP功率(lv)放(fang)大器(qi)(qi)的自(zi)主保障(zhang)能力。
【主要指標】
1.InP器件截止頻率:620GHz
2.InP功放工(gong)作頻(pin)率(lv):340GHz
3.InP低(di)噪放工作頻率:220GHz
【應用推廣需求】
1.應用推(tui)廣(guang)方式(shi):銷售
2.應用推廣領域:雷(lei)達、通信、測(ce)試儀表等領域。
【成果圖片】

【聯系人】
集(ji)團(tuan)聯系人:丁一(yi)牧,010-84352395(13552993699),dingyimu@vip.163.com
成果(guo)聯(lian)系人:程偉,15295539022,dspbuilder@163.com
【責任編輯:家正】