發布時間：2018-06-02
8． 3300V IGBT芯片和模塊
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】國家電網有限公司
【技術產品簡介】產品(pin)為(wei)高(gao)(gao)(gao)壓(ya)大功(gong)率IGBT芯片/模塊系列(lie)化產品(pin)，IGBT是能(neng)源變換與(yu)傳輸(shu)的核心(xin)器(qi)件(jian)，俗稱電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子裝置(zhi)的“CPU”，在智能(neng)電(dian)(dian)網、新能(neng)源發電(dian)(dian)、軌道交通、電(dian)(dian)動(dong)汽車(che)、消費類電(dian)(dian)子、工業控制、國(guo)防軍工等(deng)領域應用極為(wei)廣泛(fan)。高(gao)(gao)(gao)壓(ya)IGBT將主要用于靈活交流輸(shu)電(dian)(dian)、高(gao)(gao)(gao)壓(ya)直(zhi)流斷路器(qi)、柔性直(zhi)流輸(shu)電(dian)(dian)等(deng)產品(pin)。
通過產(chan)品的規模產(chan)業(ye)化(hua)，打(da)破國外壟斷(duan)，實現高壓IGBT器件在智(zhi)能電網(wang)的國產(chan)化(hua)替代，推(tui)動(dong)經濟(ji)社會發展，保障電網(wang)安全(quan)。
【產品圖片】
圖1 IGBT芯片
圖2 FRD芯片
圖3 IGBT 模塊
圖4 柔直應用
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況：存在差距(ju)
價格對比情況：高壓
國外(wai)技術(shu)產品廠家及名(ming)稱(cheng)：ABB企業3300V/1500A技術(shu)產品
【技術指標】
1．閾值電壓Vth(V)—器件開(kai)始導通的(de)門極電壓：5～7V
2．集電極-發射極飽和(he)電壓(ya)Vce(sat)（V）—器件的導通壓(ya)降：3.7V
3．集(ji)電極(ji)-發射(she)極(ji)漏電流最大值Ices（mA）—器件的(de)漏電流：40mA
4．開(kai)通損耗Eon（mJ）-器件的(de)開(kai)通損耗：4.5J
5．關斷損耗Eoff（mJ）—器件(jian)的關斷損耗：2.2J
9．高速安全芯片
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】國家電網有限公司
【技術產品簡介】
1、功能/性能
高(gao)速(su)安全(quan)芯(xin)片(pian)支持多種(zhong)通信接口(kou)，支持多種(zhong)國(guo)密(mi)(mi)(mi)、國(guo)際(ji)算(suan)法，包括SM1，SM2，SM3，SM4，SM7，DES，RSA，SHA等(deng)(deng)(deng)，可以(yi)進行加密(mi)(mi)(mi)、簽名、驗(yan)簽、密(mi)(mi)(mi)鑰(yao)生(sheng)成和哈希等(deng)(deng)(deng)密(mi)(mi)(mi)碼運算(suan)，分組算(suan)法加解密(mi)(mi)(mi)速(su)度(du)達到Gbps級，公鑰(yao)算(suan)法達到萬(wan)次(ci)每秒(miao)以(yi)上，可滿足云(yun)端服務器、加密(mi)(mi)(mi)機等(deng)(deng)(deng)高(gao)速(su)加解密(mi)(mi)(mi)應用需求。
2、關鍵技術
自(zi)主研發CPU架構(gou)，高速算(suan)(suan)法運算(suan)(suan)功能(neng)，支持(chi)CCM加速機制，具備算(suan)(suan)法級、電路級和系統級多(duo)維(wei)度安全防護技術。
【產品圖片】
圖1
圖2
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：相當
國外技術產(chan)(chan)品廠家及名稱：無(wu)支(zhi)持國密算法的國外產(chan)(chan)品
【技術指標】
1．密碼(ma)算法性能—密碼(ma)算法加解密速度：SM1>2Gbps、SM3>3Gbps、SM2>3萬次每(mei)秒
2．存(cun)(cun)儲器容量(liang)(liang)—內置(zhi)存(cun)(cun)儲器容量(liang)(liang)：ROM:128KB、RAM: 547KB
3．安全(quan)等級—安全(quan)芯片防(fang)護等級：符合國密二級要求
117．自主可控變電站保護控制成套設備
【所屬領域】高端裝備
【中央企業名稱】國家電網有限公司
【技術產品簡介】自主(zhu)可(ke)控(kong)(kong)變電(dian)(dian)站保護(hu)控(kong)(kong)制成套設(she)備(bei)(bei)是軟硬件(jian)全國產化的(de)新一代(dai)變電(dian)(dian)站保護(hu)控(kong)(kong)制監控(kong)(kong)設(she)備(bei)(bei)，適(shi)應于(yu)電(dian)(dian)力系統(tong)1000千伏及(ji)以(yi)下(xia)電(dian)(dian)壓等級變電(dian)(dian)站，滿足電(dian)(dian)網主(zhu)設(she)備(bei)(bei)、輸電(dian)(dian)線路、系統(tong)母線的(de)保護(hu)控(kong)(kong)制及(ji)監控(kong)(kong)功能(neng)要求(qiu)。
產(chan)品(pin)基于全(quan)國產(chan)芯片設(she)計(ji)(ji)，攻(gong)克了(le)(le)一批保(bao)(bao)護控(kong)制(zhi)監控(kong)設(she)備(bei)國產(chan)化關鍵(jian)技術，提升了(le)(le)變(bian)電二次核心(xin)產(chan)品(pin)國產(chan)化水平。產(chan)品(pin)設(she)計(ji)(ji)標準符合現行保(bao)(bao)護控(kong)制(zhi)監控(kong)設(she)備(bei)技術規范要求，與現有保(bao)(bao)護控(kong)制(zhi)監控(kong)設(she)備(bei)對外接口一致(zhi)，可以通用(yong)互換(huan)，實現了(le)(le)保(bao)(bao)護控(kong)制(zhi)監控(kong)設(she)備(bei)完全(quan)自主可控(kong)，具有重大市場推廣意義。
【產品圖片】
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：相當
【技術指標】
1．電磁兼容指(zhi)標(biao)-反映設備抗(kang)電磁干擾能力水平：高于(yu)GB/T 14598.26規定(ding)的技術指(zhi)標(biao)要求。
2．典型故(gu)障動作(zuo)速(su)度-反映電(dian)力(li)系統故(gu)障時(shi)快速(su)切除故(gu)障的能力(li)：高于國家(jia)標準、行(xing)業標準及國家(jia)電(dian)網(wang)公(gong)(gong)司(si)、南方電(dian)網(wang)公(gong)(gong)司(si)企業標準要求；其(qi)中線路保護、變(bian)壓(ya)器(qi)保護和母線保護典型動作(zuo)時(shi)間(jian)≤20ms。
3．測(ce)量(liang)精(jing)度-反映測(ce)量(liang)范圍內的精(jing)度：測(ce)控裝置電流(liu)測(ce)量(liang)精(jing)度誤差(cha)≤0.2%；功率測(ce)量(liang)精(jing)度誤差(cha)小于(yu)等(deng)于(yu)0.5%。
4．實時數據(ju)(ju)庫(ku)容量(liang)(liang)-反應(ying)監控系統(tong)實時數據(ju)(ju)庫(ku)處理能力：模擬(ni)量(liang)(liang)≥50000點，狀(zhuang)態量(liang)(liang)≥100000點，計算(suan)量(liang)(liang)≥2000點。
5．數(shu)據(ju)處(chu)理(li)速度-反映電(dian)力系(xi)統實時數(shu)據(ju)處(chu)理(li)能力：高于國(guo)家標準、行業(ye)標準及國(guo)家電(dian)網(wang)公(gong)司(si)、南(nan)方電(dian)網(wang)公(gong)司(si)企業(ye)標準要求。
