文(wen)章來(lai)源:華潤(run)(集團(tuan))有限公司 發布時(shi)間:2018-06-02
16.30V~200V先進中低壓功率MOSFET–SGT系列產品
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】華潤(集團(tuan))有(you)限公司
【技術產品簡介】SGT MOS器(qi)件(jian)(jian)是新一代MOS型(xing)功率器(qi)件(jian)(jian),廣泛應用(yong)于移動通訊(xun)、電動工(gong)具、電動車(che)輛、電源和(he)電池控制、工(gong)業控制等領域(yu),具有良好的應用(yong)前景。
SGT MOS器件是目前理想的(de)中(zhong)低壓功率器件,該器件利用電荷(he)(he)補償原理能夠同(tong)時獲得極低的(de)導通(tong)電阻Ron、柵極電荷(he)(he)Qg以(yi)及米勒電荷(he)(he)Qgd,能夠有效(xiao)地降低系(xi)統(tong)(tong)的(de)導通(tong)損(sun)耗和(he)開(kai)關損(sun)耗,從而提升系(xi)統(tong)(tong)轉(zhuan)換效(xiao)率,提高了功率密度(du),減少器件的(de)并聯(lian)需求,簡化了系(xi)統(tong)(tong)設計。
【產品圖片】

圖1 TO-220產品

圖2 DFN5x6產品(pin)

圖3 電(dian)機控(kong)制(zhi)器(qi)應用
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況:相當
價格對比情況:低于
國外(wai)技術(shu)產(chan)(chan)品(pin)廠(chang)家(jia)及名稱:英飛凌OptiMOS系(xi)列產(chan)(chan)品(pin) / 安(an)森美PowerTrench系(xi)列產(chan)(chan)品(pin)
【技術指標】
1.單(dan)位面積導通(tong)電(dian)阻Rsp—MOSFET導通(tong)電(dian)阻(單(dan)位面積),越(yue)低越(yue)好:Rsp=33m?.mm2 (100V MOSFET)
2.品質因子FOM—MOSFET Ron*Qg,越(yue)低(di)越(yue)好(hao):FOM=146m?.nC
17.600V~1200V溝槽柵FS IGBT及配套FRD
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】華潤(run)(集團)有限公司
【技術產品簡介】600V~1200V溝槽柵FS IGBT(絕緣柵雙極(ji)(ji)晶體管(guan))器件結合了MOSFET(金屬氧化(hua)物場(chang)效應功率晶體管(guan))和BJT(雙極(ji)(ji)晶體管(guan))的優(you)勢,具有工作(zuo)頻(pin)率高(gao)、功率密度大、導通壓降低、熱(re)穩定性好,同時兼備輸入阻抗高(gao),驅(qu)動簡(jian)單(dan)等優(you)點。
經過長(chang)期技術研發(fa)和產(chan)品(pin)應用(yong)積累,600V、1200V分立器件(jian)IGBT產(chan)品(pin)已經完(wan)成(cheng)系(xi)列化,電流分布(bu)從5A到(dao)75A。并廣泛推廣到(dao)UPS、光伏逆(ni)變、變頻器、電機驅動、電源、電焊機、電磁(ci)加熱(re)等領域。
【產品圖片】

圖1 IGBT晶圓

圖2 IGBT分(fen)立器件
圖3 UPS
圖4 焊機
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況:相當
價格對比情況:低于
國(guo)外技術產品廠家及名(ming)稱:上海賽治(zhi):FC-AE MC100芯(xin)片
【技術指標】
1.VBR(CES)(V)—正向阻斷能力(耐(nai)壓):1200V
2.VGE(th) (V) —閾(yu)值電(dian)壓:5.5V
3.VCEsat(V) —正(zheng)向導通壓降:1.9V
18.硅基高速光耦系列產品
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】華潤(集團(tuan))有限(xian)公(gong)司
【技術產品簡介】硅基高(gao)速光(guang)耦(ou),是(shi)(shi)高(gao)端光(guang)電(dian)耦(ou)合(he)器件(jian),用(yong)于輸入與輸出間(jian)互相隔離,具有良好(hao)的(de)電(dian)絕(jue)緣能力(li)(li)和抗干擾能力(li)(li),還有很(hen)強的(de)共(gong)模(mo)抑制(zhi)能力(li)(li),廣泛用(yong)于電(dian)氣(qi)絕(jue)緣、電(dian)平轉換、級間(jian)耦(ou)合(he)、通信設備及微機接口(kou)中;光(guang)耦(ou)合(he)器中的(de)核心(xin)的(de)器件(jian)是(shi)(shi)光(guang)接收(shou)芯片(pian)。華潤(run)微電(dian)子具備從(cong)100K~15Mbd的(de)系列高(gao)速光(guang)耦(ou)芯片(pian),性能優越,是(shi)(shi)國(guo)產光(guang)耦(ou)類產品的(de)領軍者。
【產品圖片】

圖1 產品圖片

圖2 應用實例

圖3 應用場景
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況:相當
價格對比情況:低于
國外技術產品廠(chang)家(jia)(jia)及(ji)名(ming)稱: Broadcom、Toshiba等廠(chang)家(jia)(jia)的6N13x等
【技術指標】
1.tPHL—高(gao)到低電平傳輸延遲:<30ns
2.tPLH—低到高(gao)電平傳輸延遲:<40ns
3.PWD—脈寬(kuan)失真(zhen):<15ns
