文章來源(yuan)：華潤（集團）有限公司(si) 發布時間：2022-05-21
17．600V~1200V溝槽柵FS IGBT及配套FRD
【所屬(shu)領域】核心(xin)電子元(yuan)器件
【中央企業名稱】華潤(run)（集團）有(you)限公司
【技術產(chan)品(pin)簡介】600V~1200V溝(gou)槽柵FS IGBT(絕緣柵雙極晶(jing)體管）器件結合了(le)MOSFET(金(jin)屬氧化物場效應功率(lv)晶(jing)體管)和BJT(雙極晶(jing)體管)的優勢，具有工(gong)作頻率(lv)高、功率(lv)密度大、導通壓降低、熱穩(wen)定性好，同(tong)時兼備(bei)輸入(ru)阻抗高，驅動簡單等(deng)優點(dian)。
經過長期技術研(yan)發和(he)產(chan)品應用(yong)積累，600V、1200V分立器件(jian)IGBT產(chan)品已經完成系列化，電(dian)(dian)流分布從5A到(dao)75A。并廣(guang)泛推(tui)廣(guang)到(dao)UPS、光(guang)伏逆(ni)變、變頻器、電(dian)(dian)機驅動、電(dian)(dian)源(yuan)、電(dian)(dian)焊(han)機、電(dian)(dian)磁加熱等(deng)領域。
【產品圖片】
圖1 IGBT晶圓
圖2 IGBT分立(li)器(qi)件(jian)
圖3 UPS
圖4 焊機
【技術指標】
1．VBR(CES)（V）—正向阻斷能力（耐壓）：1200V
2．VGE(th) (V) —閾值(zhi)電(dian)壓(ya)：5.5V
3．VCEsat(V) —正(zheng)向導(dao)通壓降：1.9V
聯系人：陳鈞 聯系電(dian)話(hua)：13701510700
【責任編輯：家正】
