文章來源：國家電網有限公(gong)司 發布(bu)時間：2022-05-21
8．3300V IGBT芯片和模塊
【所屬(shu)領域】核心電子元(yuan)器件(jian)
【中(zhong)央企業名稱】國家電(dian)網有限公司
【技術產(chan)(chan)品(pin)簡介】產(chan)(chan)品(pin)為(wei)高壓大(da)功(gong)率IGBT芯片/模塊系列(lie)化產(chan)(chan)品(pin)，IGBT是(shi)能(neng)源(yuan)變換與傳輸的核心器件，俗稱電(dian)力電(dian)子(zi)裝置的“CPU”，在智能(neng)電(dian)網、新能(neng)源(yuan)發電(dian)、軌道交通、電(dian)動汽車、消(xiao)費類電(dian)子(zi)、工業控制(zhi)、國(guo)防軍工等(deng)領域應用極(ji)為(wei)廣泛。高壓IGBT將主要用于靈活交流(liu)(liu)(liu)輸電(dian)、高壓直流(liu)(liu)(liu)斷路器、柔性直流(liu)(liu)(liu)輸電(dian)等(deng)產(chan)(chan)品(pin)。
通過(guo)產品(pin)的規模產業化，打破國外壟(long)斷，實(shi)現高壓IGBT器件在智能電(dian)網的國產化替代，推動經(jing)濟社會發展，保(bao)障電(dian)網安全。
【產品圖片】
圖1 IGBT芯片
圖2 FRD芯片
圖3 IGBT 模塊
圖4 柔直應用
【與國外同類技術產(chan)品對比情(qing)況(kuang)】
技術對比情況：存(cun)在差距
價格對比情況：高壓
國外(wai)技術產(chan)品(pin)廠(chang)家及名稱：ABB企業3300V/1500A技術產(chan)品(pin)
【技術指標】
1．閾值電壓(ya)Vth(V)—器件開始導通的門極電壓(ya)：5～7V
2．集電極-發射極飽(bao)和電壓Vce(sat)（V）—器件的導通壓降：3.7V
3．集(ji)電極-發射極漏電流最(zui)大值Ices（mA）—器件(jian)的(de)漏電流：40mA
4．開(kai)通損耗Eon（mJ）-器件的(de)開(kai)通損耗：4.5J
5．關斷損(sun)耗Eoff（mJ）—器件(jian)的(de)關斷損(sun)耗：2.2J
【責任編輯：家正】
