文章來源：中國電子科(ke)技集團有限公司 發布(bu)時間：2022-05-21
6．1200V SiC MOSFET器件(jian)
【所屬領域】核(he)心電子元器件(jian)
【中央企業名稱】中國電子科技(ji)集團有限公司(si)
【技術產品(pin)簡介】1200V SiC MOSFET系列(lie)產品(pin)導(dao)通電(dian)阻覆蓋25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ，封裝外形為(wei)TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TO-258等，聚焦于(yu)光伏逆變(bian)器(qi)、充電(dian)樁、開關電(dian)源、UPS、電(dian)機驅動器(qi)、儲能、車載(zai)電(dian)源、汽車DC-DC等應用，在軍用武器(qi)裝備(bei)系統(tong)(tong)、導(dao)彈、火箭電(dian)氣設備(bei)系統(tong)(tong)等也(ye)有廣泛(fan)應用。
芯(xin)片工藝(yi)技(ji)術(shu)(shu)上，基于(yu)自主6英寸晶(jing)圓(yuan)線(xian)，采(cai)用(yong)(yong)(yong)已(yi)經得(de)到廣(guang)泛(fan)(fan)應(ying)用(yong)(yong)(yong)驗證的(de)Planner工藝(yi)，滿足應(ying)用(yong)(yong)(yong)魯棒性要求，器件(jian)(jian)可靠、強固。55所(suo)是(shi)國內(nei)首家實現(xian)SiC MOSFET產品(pin)研制和批(pi)量生產的(de)企業，達(da)到國內(nei)外廣(guang)泛(fan)(fan)應(ying)用(yong)(yong)(yong)的(de)主流SiC MOSFET技(ji)術(shu)(shu)水平(ping)，填補了國內(nei)空白。采(cai)用(yong)(yong)(yong)SiC MOSFET器件(jian)(jian)的(de)電路，通過提升開關頻率(lv)，將顯著無源器件(jian)(jian)、散熱器的(de)體積和數量，從(cong)而減(jian)少物(wu)料單(BOM)成分(fen)以(yi)及增加功率(lv)密度。
【產品圖片】
圖1 SiC MOSFET晶圓
圖2 SiC MOSFET封裝(zhuang)器件
圖3 SiC MOSFET應用(yong)
【與國外同(tong)類技(ji)術產品對比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：相當
國(guo)外(wai)技術產品廠家(jia)及名稱(cheng)：美(mei)國(guo)Cree公司C2M系(xi)列 SiC MOSFET
【技術指標】
1．擊(ji)穿(chuan)電壓(ya)—器件阻斷狀態下能夠承受(shou)的最大電壓(ya)：1200V
2．閾值(zhi)(zhi)電壓—柵(zha)壓大(da)于閾值(zhi)(zhi)電壓器件開通，低于閾值(zhi)(zhi)電壓器件關斷：2.6V
3．導通(tong)電阻(zu)—工作柵壓下，器件達到(dao)額定電流時的導通(tong)電阻(zu)：25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ
【責任編輯：家正】
