高壓IGBT
文章(zhang)來源：中國中車集團有限公司 發(fa)布時間：2022-05-21
20．高壓IGBT
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】中國中車集團有限公司
【技術產品簡介】高壓IGBT器件技術門檻非常高，以毫米間距承受數千伏電壓，以亞微米精細結構承受數千安培電流，以焦耳級功耗控制兆瓦級功率，批量應用于電力機車、高速動車組、地鐵等軌道交通領域，以及大功率變頻器裝置。覆蓋了1700V-6500V的電壓等級和500A-1800A的電流輸出能力。芯片采用第四代DMOS＋技術，具備低導通壓降、軟開關特性、裕量大等特性。模塊采用AlSiC基板、AlN襯板，具有高熱循環能力、高可靠性等特點，滿足車輛頻繁啟動和長距離可靠性運行要求。
【產品圖片】
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：低于
國外技術產品廠家及名稱：英飛凌高壓IGBT產品
【技術指標】
1．Vce—導通壓降典型值：3300VIGBT產品:3.1V@1500A 6500V IGBT產品:3.3V@750A
2．功率循環能力—功率循環能力：≥30萬次, △Tj=80℃
3．溫度循環能力—溫度循環能力：≥20000次；Tj=150℃
【責任編輯：家正】
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