文章來源：華潤（集團）有限公(gong)司 發布時間(jian)：2022-05-21
17．600V~1200V溝槽柵(zha)FS IGBT及(ji)配套FRD
【所屬領域】核(he)心電子元(yuan)器件
【中央企業名稱】華潤（集團(tuan)）有限公司
【技術產(chan)品簡介】600V~1200V溝槽柵FS IGBT(絕緣柵雙極晶體(ti)管(guan)）器件結合了(le)MOSFET(金屬氧化(hua)物場效應功(gong)率晶體(ti)管(guan))和BJT(雙極晶體(ti)管(guan))的優(you)勢，具有工作(zuo)頻率高(gao)、功(gong)率密度大、導(dao)通壓降低、熱穩定性好，同時兼(jian)備輸入阻抗高(gao)，驅動簡單等優(you)點。
經過長期技術研發和產品(pin)應用積累，600V、1200V分立器件IGBT產品(pin)已經完(wan)成系列化，電(dian)流分布從5A到(dao)75A。并廣(guang)泛推廣(guang)到(dao)UPS、光伏逆(ni)變(bian)、變(bian)頻器、電(dian)機驅動、電(dian)源、電(dian)焊機、電(dian)磁加(jia)熱等(deng)領(ling)域。
【產品圖片】
圖1 IGBT晶圓
圖2 IGBT分(fen)立器件
圖3 UPS
圖4 焊機
【與國外同類(lei)技術(shu)產品(pin)對比情況(kuang)】
技術對比情況：相當
價格對比情況：低于
國外技術產品廠家及名稱(cheng)：上(shang)海賽(sai)治:FC-AE MC100芯片
【技術指標】
1．VBR(CES)（V）—正向(xiang)阻斷(duan)能力（耐壓）：1200V
2．VGE(th) (V) —閾值電壓(ya)：5.5V
3．VCEsat(V) —正向導通壓降(jiang)：1.9V
【責任編輯：家正】
