文章來(lai)源：華潤(run)（集團）有限公(gong)司 發布(bu)時間：2022-05-21
17．600V~1200V溝槽柵FS IGBT及(ji)配套FRD
【所屬領域】核心電子元器件
【中央企業名稱】華(hua)潤（集(ji)團）有限公(gong)司
【技(ji)術產品簡介(jie)】600V~1200V溝槽柵(zha)FS IGBT(絕緣柵(zha)雙極晶(jing)(jing)體(ti)管）器件結合了(le)MOSFET(金(jin)屬氧(yang)化(hua)物場效應功(gong)率(lv)晶(jing)(jing)體(ti)管)和(he)BJT(雙極晶(jing)(jing)體(ti)管)的(de)優勢，具(ju)有工(gong)作頻率(lv)高、功(gong)率(lv)密度大、導通壓降低、熱穩(wen)定(ding)性好，同時兼(jian)備輸入阻抗高，驅動簡單等優點(dian)。
經過(guo)長期(qi)技術研發和產品應用積累，600V、1200V分立器件IGBT產品已經完(wan)成系列化，電流分布(bu)從5A到(dao)(dao)75A。并廣泛推廣到(dao)(dao)UPS、光伏逆變、變頻器、電機驅動(dong)、電源、電焊機、電磁加熱(re)等領域。
【產品圖片】
圖1 IGBT晶圓
圖2 IGBT分立器件
圖3 UPS
圖4 焊機
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況：相當
價格對比情況：低于
國外技術產品廠家及名稱：上海賽治:FC-AE MC100芯片
【技術指標】
1．VBR(CES)（V）—正向阻斷(duan)能(neng)力（耐壓）：1200V
2．VGE(th) (V) —閾(yu)值(zhi)電壓：5.5V
3．VCEsat(V) —正向(xiang)導通(tong)壓降：1.9V
【責任編輯：家正】
