文章來源：國家電(dian)網有限公司 發布時間(jian)：2022-05-21
8．3300V IGBT芯片和模塊
【所屬領(ling)域(yu)】核(he)心電子(zi)元器(qi)件(jian)
【中央企(qi)業名稱】國家電網有限公司
【技術(shu)產品(pin)簡介】產品(pin)為高壓大功率IGBT芯片/模塊系列化產品(pin)，IGBT是能源變換與傳輸(shu)的(de)核(he)心(xin)器(qi)件，俗(su)稱(cheng)電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子(zi)(zi)裝(zhuang)置的(de)“CPU”，在智(zhi)能電(dian)(dian)網(wang)、新能源發電(dian)(dian)、軌(gui)道交通、電(dian)(dian)動汽車、消費類電(dian)(dian)子(zi)(zi)、工業控(kong)制、國(guo)防軍(jun)工等(deng)領域(yu)應用極為廣泛。高壓IGBT將主(zhu)要用于靈活交流輸(shu)電(dian)(dian)、高壓直(zhi)流斷路器(qi)、柔性直(zhi)流輸(shu)電(dian)(dian)等(deng)產品(pin)。
通過產(chan)品的(de)規模(mo)產(chan)業(ye)化(hua)，打破(po)國外(wai)壟(long)斷，實現高壓IGBT器件在智能電網的(de)國產(chan)化(hua)替代，推(tui)動(dong)經濟社(she)會發展，保障電網安全。
【產品圖片】
圖1 IGBT芯片
圖2 FRD芯片
圖(tu)3 IGBT 模塊(kuai)
圖4 柔直應用
【與國外同類技術產(chan)品對比情(qing)況】
技術對比情況(kuang)：存在(zai)差(cha)距
價格對比情況：高壓
國外技術產(chan)品(pin)廠家及(ji)名稱：ABB企業3300V/1500A技術產(chan)品(pin)
【技術指標】
1．閾值(zhi)電(dian)壓Vth(V)—器件開始(shi)導通的門極電(dian)壓：5～7V
2．集電(dian)極-發射極飽和(he)電(dian)壓(ya)Vce(sat)（V）—器件的導通壓(ya)降：3.7V
3．集(ji)電極-發射(she)極漏(lou)電流最大值Ices（mA）—器件的(de)漏(lou)電流：40mA
4．開(kai)通(tong)損耗Eon（mJ）-器(qi)件的(de)開(kai)通(tong)損耗：4.5J
5．關斷(duan)損耗(hao)Eoff（mJ）—器件的關斷(duan)損耗(hao)：2.2J
【責任編輯：家正】
