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6．1200V SiC MOSFET器(qi)件

【所(suo)屬領(ling)域】核心電子(zi)元器件

【中(zhong)央(yang)企(qi)業名稱】中(zhong)國電子(zi)科技集(ji)團有限公司

【技術產(chan)品(pin)簡介】1200V SiC MOSFET系列(lie)產(chan)品(pin)導(dao)通電(dian)阻覆蓋25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ，封裝外形為TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TO-258等(deng)(deng)，聚焦于光伏逆(ni)變(bian)器(qi)、充電(dian)樁、開關電(dian)源、UPS、電(dian)機驅動器(qi)、儲(chu)能、車(che)載電(dian)源、汽車(che)DC-DC等(deng)(deng)應(ying)用，在(zai)軍用武器(qi)裝備系統、導(dao)彈、火箭電(dian)氣(qi)設備系統等(deng)(deng)也有廣泛應(ying)用。

芯片工藝技(ji)術(shu)上，基于自主6英寸晶圓線，采用(yong)(yong)已(yi)經得(de)到(dao)(dao)廣泛(fan)應用(yong)(yong)驗證的Planner工藝，滿(man)足應用(yong)(yong)魯棒性要(yao)求，器(qi)件可靠、強固。55所是(shi)國內(nei)首家實現SiC MOSFET產(chan)品研制和(he)批(pi)量生產(chan)的企(qi)業，達到(dao)(dao)國內(nei)外廣泛(fan)應用(yong)(yong)的主流SiC MOSFET技(ji)術(shu)水平，填補(bu)了國內(nei)空白。采用(yong)(yong)SiC MOSFET器(qi)件的電(dian)路，通過提升開關頻(pin)率(lv)，將顯(xian)著無源器(qi)件、散熱(re)器(qi)的體積和(he)數量，從而減少物(wu)料(liao)單(BOM)成(cheng)分以及(ji)增加功率(lv)密(mi)度。

【產品圖片】

圖1 SiC MOSFET晶圓

圖(tu)2 SiC MOSFET封裝器件

圖(tu)3 SiC MOSFET應(ying)用

【與(yu)國(guo)外同(tong)類技(ji)術(shu)產(chan)品對比(bi)情況】

技術對比情況：相當

價格對比情況：相當

國(guo)外技(ji)術(shu)產品(pin)廠家及名稱(cheng)：美(mei)國(guo)Cree公司(si)C2M系列 SiC MOSFET

【技術指標】

1．擊穿電壓—器(qi)件阻斷(duan)狀態下能夠承受的(de)最(zui)大電壓：1200V

2．閾(yu)(yu)值(zhi)(zhi)電(dian)壓(ya)(ya)—柵壓(ya)(ya)大于閾(yu)(yu)值(zhi)(zhi)電(dian)壓(ya)(ya)器件(jian)開通(tong)，低于閾(yu)(yu)值(zhi)(zhi)電(dian)壓(ya)(ya)器件(jian)關斷：2.6V

3．導(dao)通(tong)(tong)電阻—工作柵壓(ya)下，器件達到額定電流時的(de)導(dao)通(tong)(tong)電阻：25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ

【責任編輯：家正】