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6．1200V SiC MOSFET器(qi)件(jian)

【所(suo)屬領域(yu)】核心電子元器件

【中央企業名稱】中國電子科(ke)技集團有限(xian)公司

【技術產品(pin)簡介】1200V SiC MOSFET系列產品(pin)導(dao)(dao)通電(dian)(dian)(dian)阻覆蓋(gai)25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ，封裝外(wai)形為TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TO-258等(deng)，聚(ju)焦(jiao)于光伏(fu)逆(ni)變器(qi)、充電(dian)(dian)(dian)樁、開關(guan)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)、UPS、電(dian)(dian)(dian)機(ji)驅動器(qi)、儲(chu)能、車載電(dian)(dian)(dian)源(yuan)、汽車DC-DC等(deng)應用(yong)，在軍用(yong)武器(qi)裝備系統(tong)(tong)、導(dao)(dao)彈(dan)、火箭電(dian)(dian)(dian)氣設(she)備系統(tong)(tong)等(deng)也(ye)有(you)廣泛應用(yong)。

芯片工(gong)藝(yi)技術上，基(ji)于自主6英寸晶圓線，采用已經(jing)得到(dao)廣(guang)泛應(ying)用驗(yan)證的Planner工(gong)藝(yi)，滿足應(ying)用魯棒(bang)性要求，器件可靠、強固。55所(suo)是國(guo)內首家實現SiC MOSFET產品(pin)研(yan)制和批量(liang)(liang)生產的企業(ye)，達到(dao)國(guo)內外廣(guang)泛應(ying)用的主流SiC MOSFET技術水平，填補了國(guo)內空白。采用SiC MOSFET器件的電路，通過提升(sheng)開(kai)關頻率，將顯著(zhu)無源器件、散熱器的體積(ji)和數量(liang)(liang)，從而減少物料(liao)單(BOM)成分以及增加功率密度。

【產品圖片】

圖(tu)1 SiC MOSFET晶圓

圖(tu)2 SiC MOSFET封裝(zhuang)器件

圖(tu)3 SiC MOSFET應用

【與(yu)國外同類技術產品對比情況】

技術對比情況：相當

價格對比情況：相當

國外(wai)技(ji)術產品(pin)廠家及名稱(cheng)：美國Cree公司C2M系列 SiC MOSFET

【技術指標】

1．擊穿電壓(ya)—器件阻斷狀態下(xia)能夠(gou)承(cheng)受的最大電壓(ya)：1200V

2．閾值(zhi)(zhi)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)—柵(zha)壓(ya)(ya)(ya)大于(yu)閾值(zhi)(zhi)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)器件開通，低(di)于(yu)閾值(zhi)(zhi)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)器件關斷：2.6V

3．導通(tong)電(dian)阻—工(gong)作柵(zha)壓下(xia)，器件達到額定電(dian)流時(shi)的(de)導通(tong)電(dian)阻：25mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ、280mΩ

【責任編輯：家正】