文章來源(yuan)：中國電子信息產業集(ji)團有限(xian)公司(si) 發布時間：2022-05-20
102．集成電路制造BCD工藝
【所屬領域】先進工藝
【中央企業名稱】中國電子
【技術產品簡介】近年來，隨著全球能源需求的不斷增長以及環境保護意識的逐步提升，高效、節能產品成為市場發展的新趨勢，電源管理芯片越來越多地應用到整機產品中，高集成度的BCD工藝作為集成電源的最好工藝解決方案，也得到各芯片制造企業的高度重視。
BCD工藝已經是一個概念很廣的技術，在真正的應用中，往往可以是單一的器件，也可是幾種的組合，這完全取決于市場的需求和系統方案的要求。但最主要的市場在功率驅動（包括音頻功放，LCD/LED的驅動，柵極驅動等），接口和電源管理（主要應用是手機、數碼相機、臺式/便攜式計算機等各種電子產品）。
【產品圖片】
圖1芯片結構示意圖
圖2芯片外觀圖
圖3 應用場景圖
【與國外同類技術產品對比情況】
技術對比情況：存在差距
價格對比情況：低于
國外技術產品廠家及名稱：MPS公司的電源管理芯片
【技術指標】
1．16V NLDMOS BVDS—16V NLDMOS Vg=0V時drain to source擊穿電壓：27V
2．16V NLDMOS Rsp—16V NLDMOS Vg=5V，Vd=0.1V時drain to source每平方毫米導通電阻：10mΩ/mm2
3．20V NLDMOS BVDS—20V NLDMOS Vg=0V時drain to source擊穿電壓：32V
4．20V NLDMOS Rsp—20V NLDMOS Vg=5V，Vd=0.1V時drain to source每平方毫米導通電阻：12mΩ/mm2
5．24V NLDMOS BVDS—24V NLDMOS Vg=0V時drain to source擊穿電壓：35V
6．24V NLDMOS Rsp—24V NLDMOS Vg=5V，Vd=0.1V時drain to source每平方毫米導通電阻：14mΩ/mm2
7．30V NLDMOS BVDS—30V NLDMOS Vg=0V時drain to source擊穿電壓：39V
8．30V NLDMOS Rsp—30V NLDMOS Vg=5V，Vd=0.1V時drain to source每平方毫米導通電阻：16mΩ/mm2
【責任編輯：王占(zhan)朝】
