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中國電科搶占碳化硅材料與器件制造設備市場先機

文章來源:中國電子科技集團公司  發(fa)布時間:2014-08-30

  近日,由中國電子科技集團48所、2所、55所共同申請的國家科技部“863”前沿技術項目已獲批,該項目的主要目的是為高壓碳化硅電力電子器件的制造提供關鍵設備和工藝,其中包括4-6寸碳化硅單晶生長爐、碳化硅外延生長爐和碳化硅高溫高能離子注入機的研發。 

  當前(qian)正值我國大力開(kai)展科技創新推(tui)動產(chan)(chan)業轉型升級的(de)(de)新時期,碳化硅制造設(she)備已被列入國家《新材(cai)料(liao)產(chan)(chan)業“十(shi)二五”發(fa)展規劃》重點產(chan)(chan)品目錄,碳化硅材(cai)料(liao)和器件的(de)(de)科研也已納入電(dian)力電(dian)子行業“十(shi)二五”規劃。項目獲批,對中(zhong)國電(dian)科搶(qiang)占SiC裝備市場的(de)(de)先機(ji)奠定(ding)了堅實(shi)基礎(chu)。

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