文章(zhang)來源：中國電子科(ke)技(ji)集團(tuan)公司 發(fa)布時(shi)間：2013-10-11
日前，由中國電子科技集團第13研究所研制的MEMS加速度傳感器突破了高精度SOI工藝加工、圓片級可調阻尼封裝、低功耗ASIC專用集成電路等關鍵技術，在國際招標項目中，一舉戰勝美國PCB公司和瑞士奇石樂等國際知名傳感器廠商。這是國產MEMS加速度傳感器首次在國際招標中獲勝，標志著中國電科MEMS加速度傳感器已達到國際先進產品水平。
MEMS加速度傳感(gan)器(qi)具(ju)備高精度、高分辨率(lv)(lv)（分辨率(lv)(lv)優于10μg）、低(di)噪聲（13所2.5μg，國外(wai)同(tong)類(lei)(lei)產品約5μg）、低(di)功(gong)耗(hao)、低(di)溫漂、抗過載和超小體積(ji)（體積(ji)是國外(wai)同(tong)類(lei)(lei)產品1/4）、重(zhong)量(liang)小于1.2克(ke)（國外(wai)同(tong)類(lei)(lei)產品約10克(ke)）等技術(shu)特點，主(zhu)要(yao)技術(shu)指標全面超越國外(wai)同(tong)類(lei)(lei)產品。