文章來(lai)源：中國電子(zi)科技集團公(gong)司 發(fa)布時(shi)間：2013-10-11
日前，由中國電子科技集團第13研究所研制的MEMS加速度傳感器突破了高精度SOI工藝加工、圓片級可調阻尼封裝、低功耗ASIC專用集成電路等關鍵技術，在國際招標項目中，一舉戰勝美國PCB公司和瑞士奇石樂等國際知名傳感器廠商。這是國產MEMS加速度傳感器首次在國際招標中獲勝，標志著中國電科MEMS加速度傳感器已達到國際先進產品水平。
MEMS加速度傳感(gan)器具(ju)備高精度、高分辨率（分辨率優于10μg）、低(di)噪聲（13所2.5μg，國(guo)外(wai)同(tong)類產(chan)品(pin)約5μg）、低(di)功耗、低(di)溫漂、抗過載和超小(xiao)體積（體積是國(guo)外(wai)同(tong)類產(chan)品(pin)1/4）、重量(liang)小(xiao)于1.2克（國(guo)外(wai)同(tong)類產(chan)品(pin)約10克）等技術特點，主要技術指(zhi)標全面超越國(guo)外(wai)同(tong)類產(chan)品(pin)。