文(wen)章來源：中國電子科技集團有限公司(si) 發布時(shi)間：2022-03-22
3月17日(ri)，從中(zhong)國(guo)電(dian)科(ke)獲悉，中(zhong)國(guo)電(dian)科(ke)旗下裝備子集(ji)團日(ri)前已成(cheng)功實現離子注(zhu)入機全譜系(xi)產品國(guo)產化，可為(wei)全球(qiu)芯(xin)片制(zhi)造(zao)企業(ye)提(ti)供離子注(zhu)入機一站式解決方案。
據悉，裝備子集團(tuan)連續(xu)突破高性(xing)能(neng)離(li)子源(yuan)、高速晶(jing)圓傳輸等“卡脖子”技術(shu)，自(zi)主研制(zhi)中束流、大(da)束流、高能(neng)、特種應用及第三(san)代半導體等離(li)子注(zhu)入(ru)機，工藝段覆蓋至28nm，累計(ji)形(xing)成核心發明專利413項，為我(wo)國芯片制(zhi)造(zao)產業鏈(lian)補上重要(yao)一(yi)環，實現(xian)我(wo)國芯片制(zhi)造(zao)領域全譜系離(li)子注(zhu)入(ru)機自(zi)主創新發展，有效緩解我(wo)國芯片制(zhi)造(zao)領域斷鏈(lian)、短鏈(lian)難題。
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