文章(zhang)來源：中國電子科技(ji)集團有限(xian)公(gong)司 發布時間：2020-02-27
近日，中(zhong)國電科46所(suo)經過(guo)(guo)多年氧(yang)化(hua)鎵(jia)晶體生(sheng)長技術(shu)探索，通過(guo)(guo)改進熱場(chang)結構(gou)、優化(hua)生(sheng)長氣氛(fen)和晶體生(sheng)長工藝，有效解決了晶體生(sheng)長過(guo)(guo)程中(zhong)原料分解、多晶形成(cheng)、晶體開裂等問題，采用(yong)導模法成(cheng)功(gong)制備出高質量的4英寸氧(yang)化(hua)鎵(jia)單晶。
氧(yang)化(hua)鎵是一種新型超寬禁(jin)帶半導體(ti)材(cai)料，適用(yong)于(yu)制造高(gao)(gao)電流密度的功率器件(jian)、紫外探測器、發光二極(ji)管等。但(dan)由(you)于(yu)氧(yang)化(hua)鎵屬于(yu)單斜晶系，具有高(gao)(gao)熔點、高(gao)(gao)溫分解以及(ji)易開裂的特性，因此，大尺(chi)寸氧(yang)化(hua)鎵單晶制備(bei)極(ji)為(wei)困難(nan)。中國電科46所(suo)制備(bei)的氧(yang)化(hua)鎵單晶的寬度接(jie)近(jin)100mm，總長度達到(dao)250mm，可加工出(chu)4英寸晶圓、3英寸晶圓和2英寸晶圓。經測試(shi)，晶體(ti)具有很(hen)好的結晶質(zhi)量(liang)，將為(wei)國內相關器件(jian)的研制提(ti)供有力支(zhi)撐。
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